- 모델
- SI8821EDB-T2-E1
- 제조사
- Vishay Semiconductors
- 분류
- MOSFET
- RoHS
- 데이터 시트
- 설명
- MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
SI8821EDB-T2-E1
이미지는 참고 용입니다.
제품 사양
- 제조사
- Vishay Semiconductors
- 분류
- MOSFET
- Channel Mode
- Enhancement
- Id - Continuous Drain Current
- 2.3 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- MicroFoot-4
- Packaging
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 900 MW
- Qg - Gate Charge
- 17 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 105 mOhms
- Technology
- SI
- Tradename
- TrenchFET
- Transistor Polarity
- P-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 30 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- - 12 V, + 12 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 1.3 V
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Electromechanical
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Semiconductors
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Sensors
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