UJ3C120080K3S

이미지는 참고 용입니다.
모델
UJ3C120080K3S
제조사
UnitedSiC
분류
MOSFET
RoHS
데이터 시트
설명
MOSFET 1200V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth

제품 사양

제조사
UnitedSiC
분류
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
33 A
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
254.2 W
Qg - Gate Charge
51 nC
Qualification
AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance
100 mOhms
Technology
SiC
Tradename
SiC FET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1.2 kV
Vgs - Gate-Source Voltage
- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V

최신 평가

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